Suche wärmeleitfähiges Material [Archiv] - ProgForum.com

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16.02.2004, 16:55

welches aber elektrisch 100% isoliert. sowohl DC wie auch im HF (bis 1GHz) bereich keine antenne bilden kann. Berilliumoxidkeramik sei ja hierzu irgendwie geeigent für, konnte aber leider bis jetzt noch keine näheren informationen dazu bekommen. gibt es noch andere keramische verbindungen oder kunstoffe, welche gute wärmeleitfähigkeit aufweisen? desweiteren sollte das material formbarsein. danke schon mal und gruss genjin <IMG SRC="http://progshop.com/elektronik/diskussion/clipart/happy.gif" ALT=":-)" BORDER=0>

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16.02.2004, 17:09

Die beste Wärmeleitfähigkeit hat Diamant. Beste Grüße, Marek

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16.02.2004, 20:50

Hi, ja, aber die brennen <IMG SRC="http://progshop.com/elektronik/diskussion/clipart/happy.gif" ALT=":-)" BORDER=0> Beschäftige Dich mit "Striplinetechnik". Dann kannst Du den JKühlkörper als Massefläche benutzen und wenn Du das Layout richtig berechnest hast sogar eine verbesserung der Leiterplatteneigenschaften. Gruß Elmar

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16.02.2004, 20:50

P.S.: als Isolation dann Glimmerscheibe o.ä.

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18.02.2004, 11:14

ja, danke erstmal für die antworten. das mit dem diamanten wird wohl auch sonnst nix, da unsere steuerungen mit unter €100 HK auskommen müssen ;) das problem aber liegt darin, dass ich den FET (um den geht es zu kühlen), nicht auf ein elektrisch leitfähiges chassis oder pcb-plane verbinden darf, weil die elektromagnetische abstrahlung dadurch sehr hoch wird (kapazitive kopplung von FET auf chassis > antenne) und dadurch bei EMV tests die Emission immer massiv über den werten liegt. deshalb suche ich ein, wie oben genanntes, material, aus welchem wir ein elektrisch nicht leitendes chassis herstellen könnten, damit wir nur noch eine sehr geringe kapazitive kopplung auf unsere anlage bekommen. <IMG SRC="http://progshop.com/elektronik/diskussion/clipart/happy.gif" ALT=":-)" BORDER=0>

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18.02.2004, 12:48

Hi! Wie wärs mit: FET - Glimmer - dünnes Blech - Glimmer - Chassis? Das dünne Blech kommt dann auf GND oder Vcc, was auch immer am nicht geschalteten Eingang des FET liegt. Gruß, Michael

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18.02.2004, 13:12

und dies dünne blech soll dann genug stark gegen die kapazitive kopplung wirken? da musst mir schon etwas mehr erzählen <IMG SRC="http://progshop.com/elektronik/diskussion/clipart/happy.gif" ALT=":-)" BORDER=0> als es ist so. der FET ist der schalt-FET welcher in einem primär getakteten Netzteil mit einer leistung von ungefähr 280Watt zum einatz kommt. durch die hohe spannugsfestigkeit (bis 800V) hat er leider auch ein relativ hohes RDSon, und muss dem entsprechen gekühlt werden. also ein kühlkörper auf der bestückungsseite würde schon deshalb gar nie in frage kommen (> zu klein).

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18.02.2004, 14:44

mal ne etwas unkonventionelle Lösung. Steck deinen FET mit Abstand (niedrige kapazitive Kopplung) in ein Kühlgehäuse, das mit Trafoöl gefüllt is. Das Gehäuse selber wird auf GND gelegt. Eigendlich steckt man EMV gerecht die ganze Schaltung in ein Gehäuse. Ansonsten spielt die Physik gegen dich. Guter Wärmekontakt setzt dünne Isolatormaterialien voraus. Je besser die isolieren, um so höher sind ihre Dielektrizitätskonstanten, um so größer wird eben auch deine kapazitive Kopplung zum Kühlmedium.

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18.02.2004, 16:08

Hi! > und dies dünne blech soll dann genug stark gegen > die kapazitive kopplung wirken? Die Kopplung ist natürlich noch da, aber eben zum Blech und nicht zum Kühlkörper. Die Ströme, die den "FET-Blech-Kondensator" laden und entladen, dürften vielleicht ein paar Millivolt Spannungsabfall auf der Zuleitung zum Blech erzeugen, bei entsprechend schlechter Leitungsführung (Induktivität) vielleicht auch wenige Volt. Aber lieber ein paar Volt aufm Blech vorm Kühlkörper, als 320V Rechteck aufm FET vorm Kühlkörper. Das Blech dann wie gesagt mit der ungeschalteten Spannung am FET verbinden, also wohl Source, wenn Kühlfahne = Drain = geschaltet. Vorausgesetzt, die ist entsprechend sauber - aber sauberer als 320V Rechteck ist sie auf jeden Fall :-) Anderer Ansatz: P-FET in N-FET tauschen oder umgekehrt. Dann hast auf der Kühlfahne vom FET nicht mehr die getaktete, sondern die Eingangsspannung. Voraussetzung wie oben. Noch anderer Ansatz: Evtl liefern IGBT kleineren RDSon bei gleicher Spannungsfestigkeit? Gruß, Michael.