Page-Write bei I²C EEPROMS

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Hi, <BR>ich hab ne kurze Frage zu den I²C EEPROMS: <BR> <BR>Wenn man ein Byte schreibt muss man ja ca. 10ms Sekunden warten bis es drin ist. das is ja recht langsam. wenn ich nun bei meinem 24C256 einen Page-Write mach kann ich bis zu 64 Byte auf einmal schreiben. Gibt das eine Geschwindigkeits verbesserung? Oder muss ich dann auch 64&#42;10ms warten? <BR> <BR>Gruß Tobias

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neee, <BR> <BR>das ist ja gerade der vorteil des page schreibens. <BR> <BR>ed <BR><img src="http://progshop.com/elektronik/diskussion/clipart/wink.gif" border=0> <BR>64&#42;10...das koennte keiner ertragen